7月12日，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商拓荊科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“拓荊科技”)申請(qǐng)科創(chuàng)板上市已獲受理。根據(jù)披露的招股說(shuō)明書（申報(bào)稿）顯示，此次拓荊科技擬公開發(fā)行股票數(shù)量不超過(guò) 3161.98 萬(wàn)股，計(jì)劃募資10億元，主要投入半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。

招股書顯示，拓荊科技成立于2010年，主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司主要聚焦于半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，產(chǎn)品包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列。

PECVD 設(shè)備主要功能是在 將硅片控制到預(yù)定溫度后，使用射頻電磁波作為能量源在硅片上方形成低溫等離 子體，通入適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)氣體，在等離子體的激活下，經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)在硅片表 面形成固態(tài)薄膜。相比傳統(tǒng)的 CVD 設(shè)備，PECVD 設(shè)備在相對(duì)較低的反應(yīng)溫度下 形成高致密度、高性能薄膜，不破壞已有薄膜和已形成的底層電路，實(shí)現(xiàn)更快的 薄膜沉積速度，是芯片制造薄膜沉積工藝中運(yùn)用最廣泛的設(shè)備種類。

ALD 設(shè)備是一種可以將反應(yīng)材料以單原子膜形式通過(guò)循環(huán)反應(yīng)逐層沉積在基片表面，形成對(duì)復(fù)雜形貌的基底表面全覆蓋成膜的專用設(shè)備。由于 ALD 設(shè)備 可以實(shí)現(xiàn)高深寬比、極窄溝槽開口的優(yōu)異臺(tái)階覆蓋率及精確薄膜厚度控制，實(shí)現(xiàn) 了芯片制造工藝中關(guān)鍵尺寸的精度控制，在結(jié)構(gòu)復(fù)雜、薄膜厚度要求精準(zhǔn)的先進(jìn) 邏輯芯片、DRAM 和 3D NAND 制造中，ALD 是必不可少的核心設(shè)備之一。ALD 設(shè)備主要分為 PE-ALD 和 Thermal ALD。

SACVD 設(shè)備的主要功能是在次常壓環(huán)境下，通過(guò)對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)氣體壓力和溫 度的精確控制，將氣相化學(xué)反應(yīng)材料在晶圓表面沉積薄膜。SACVD 設(shè)備的高壓 環(huán)境可以減小氣相化學(xué)反應(yīng)材料的分子自由程，通過(guò)臭氧在高溫下產(chǎn)生高活性的 氧自由基，增加分子之間的碰撞，實(shí)現(xiàn)優(yōu)越的填孔（Gap fill）能力，是集成電路 制造的重要設(shè)備之一。

一、中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備自給率僅5%，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大

近年來(lái)，隨著中國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)的快速發(fā)展，中國(guó)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模最大的地區(qū)，約占全球 35%的市場(chǎng)份額。根據(jù) SEMI 統(tǒng)計(jì)，2020 年中國(guó)大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售規(guī)模達(dá) 187.2 億美元，同比增 長(zhǎng) 39%，首次超過(guò)中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，成為全球第一大半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)。

雖然我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈在國(guó)家政策及產(chǎn)業(yè)基金的支持和下游需求驅(qū)動(dòng)下得以 不斷完善，但目前我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備整體仍依賴進(jìn)口。根據(jù)中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2020 年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約為 213 億元，自給率約為 17.5%。 如僅考慮集成電路設(shè)備，國(guó)內(nèi)自給率僅有 5%左右，在全球市場(chǎng)僅占 1-2%，技術(shù)含量最高的集成電路前道設(shè)備則自給率更低。半導(dǎo)體設(shè)備嚴(yán)重依賴進(jìn)口不僅影響我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更對(duì)我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)安全造成重大隱患。

在半導(dǎo)體制造國(guó)產(chǎn)化的趨勢(shì)之下，半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化也正在加速，國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)口替代趨勢(shì)明顯，替代空間巨大。同時(shí)，中美貿(mào)易摩擦的國(guó)際環(huán)境促使社會(huì)各界重新審視包括半導(dǎo)體設(shè) 備等高端制造領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)替代的重要性，將進(jìn)一步催化國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的發(fā)展。

此外，隨著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展階段逐步走向成熟，晶圓制造廠商開始考慮 在設(shè)備支出中節(jié)約成本。因此產(chǎn)品性價(jià)比高、能滿足特定產(chǎn)品個(gè)性化需求，并能提供及時(shí)、快速售后服務(wù)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備已成為國(guó)內(nèi)各大晶圓制造商的重要戰(zhàn)略選擇。

二、打破國(guó)外壟斷！國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的PECVD、SACVD設(shè)備廠商

薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環(huán)節(jié)。薄膜沉積技術(shù)是以各類適當(dāng)化學(xué)反應(yīng) 源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅(qū)動(dòng)下激活，將由此形成的原子、 離子、活性反應(yīng)基團(tuán)等在襯底表面進(jìn)行吸附，并在適當(dāng)?shù)奈恢冒l(fā)生化學(xué)反應(yīng)或聚結(jié)，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導(dǎo)體材料薄膜。芯片是微型結(jié)構(gòu)體，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是 3D 立體式形態(tài)，襯底之上的微米或納米級(jí)薄膜構(gòu)成了制作電路的功能材料層。根據(jù)芯片電路設(shè)計(jì)，沉積導(dǎo)電金屬薄膜或絕緣介質(zhì)薄膜后，在薄膜上進(jìn)行光刻形成電路設(shè)計(jì)圖形，依據(jù)電路圖形將圖形外多余的薄膜材料刻蝕去除，輔助以清洗、拋光、離子注入等步驟，形成一層電路的制造。

隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò) 大，芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、 導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在90nm CMOS 工藝， 大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nm FinFET 工藝產(chǎn)線，超過(guò) 100 道薄膜沉積工 序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納米級(jí)。薄膜設(shè)備的發(fā)展支撐了集成電路制造工藝向更小制程發(fā)展。

根據(jù) Maximize Market Research 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2017-2019 年全球半 導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模分別為 125 億美元、145 億美元和 155 億美元，2020 年擴(kuò)大至約 172 億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為 11.2%。

新建晶圓廠設(shè)備投資中，晶圓制造相關(guān)設(shè)備投資額占比約為總體設(shè)備投資的 80%，薄膜沉積設(shè)備作為晶圓制造的三大主設(shè)備之一，其投資規(guī)模占晶圓制造設(shè) 備總投資的 25%。

薄膜沉積設(shè)備主要負(fù)責(zé)各個(gè)步驟當(dāng)中的介質(zhì)層與金屬層的沉積，包括 CVD（化學(xué)氣相沉積）設(shè)備、PVD（物理氣相沉 積）設(shè)備/電鍍?cè)O(shè)備和 ALD（原子層沉積）設(shè)備，而ALD 又是屬于 CVD 的一種，是先進(jìn)制程部分工序節(jié)點(diǎn)所需的薄膜沉積設(shè)備。

薄膜沉積工藝的不斷發(fā)展，形成了較為固定的工藝流程，同時(shí)也根據(jù)不同的 應(yīng)用演化出了 PECVD、濺射 PVD、ALD、LPCVD 等不同的設(shè)備用于晶圓制造 的不同工藝。其中，PECVD 是薄膜設(shè)備中占比最高的設(shè)備類型，占整體薄膜沉 積設(shè)備市場(chǎng)的 33%；ALD 設(shè)備目前占據(jù)薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)的 11%；SACVD 是新興的設(shè)備類型，屬于其他薄膜沉積設(shè)備類目下的產(chǎn)品，占比較小。在整個(gè)薄膜沉 積設(shè)備市場(chǎng)，屬于 PVD 的濺射 PVD 和電鍍 ECD 合計(jì)占有整體市場(chǎng)的 23%。

目前，從全球市場(chǎng)份額來(lái)看，薄膜沉積設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)出高度壟斷的競(jìng)爭(zhēng)局面，行業(yè) 基本由應(yīng)用材料（AMAT）、ASM、泛林半導(dǎo)體（Lam）、東京電子（TEL）等 國(guó)際巨頭壟斷。2019 年，ALD 設(shè)備龍頭東京電子（TEL）和先晶半導(dǎo)體（ASMI） 分別占據(jù)了 31%和 29%的市場(chǎng)份額，剩下 40%的份額由其他廠商占據(jù)；而應(yīng)用材料（AMAT）則基本壟斷了 PVD 市場(chǎng)，占 85%的比重，處于絕對(duì)龍頭地位；在 CVD 市場(chǎng)中，應(yīng)用材料（AMAT）全球占比約為 30%，連同泛林半導(dǎo)體（Lam） 的 21%和 TEL 的 19%，三大廠商占據(jù)了全球 70%的市場(chǎng)份額。一直以來(lái)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)于國(guó)外供應(yīng)商依賴程度都比較高。

招股書顯示，拓荊科技是國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路 PECVD 設(shè)備廠商，PECVD設(shè)備業(yè)務(wù)也是拓荊科技的主要營(yíng)收來(lái)源。目前公司的 PECVD 設(shè)備已配適 180-14nm 邏輯芯片、19/17nm DRAM 及 64/128 層 FLASH 制造工藝需求，產(chǎn)品能夠兼容 SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、 LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等多種反應(yīng)材料。公司已于 2018 年向某國(guó)際領(lǐng)先晶圓廠發(fā)貨一臺(tái) PECVD 設(shè)備用于其先進(jìn)邏輯芯片制造研發(fā)產(chǎn)線，2020 年某國(guó)際領(lǐng)先晶圓廠向公司增訂了一臺(tái) PECVD 設(shè)備用于其上述先進(jìn)制程試產(chǎn)線。

在ALD設(shè)備方面，拓荊科技ALD 設(shè)備可以沉積 SiO2 和 SiN 材料薄膜，目前已適配 55-14nm 邏 輯芯片制造工藝需求。在 PE-ALD 設(shè)備成功量產(chǎn)基礎(chǔ)上，為滿足 28nm 以下芯片制造所需的 Al2O3、 AlN 等金屬化合物薄膜的工藝需要，公司正在研發(fā) Thermal ALD 設(shè)備。

在SACVD設(shè)備方面，拓荊科技是國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路 SACVD 設(shè)備廠商。公司的 SACVD 設(shè)備可以沉積 BPSG、SAF 材料薄膜，適配 12 英寸 40/28nm 以及 8 英寸 90nm 以上的邏輯芯片制造工藝需求。

拓荊科技表示，產(chǎn)品總體性能和關(guān)鍵性能參 數(shù)已達(dá)到國(guó)際同類設(shè)備水平。

在商業(yè)化方面，目前公司產(chǎn)品已廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線，其中包含14nm 及以上制程集成電路制造產(chǎn)線。同時(shí)，拓荊科技還開展了10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。招股書稱，報(bào)告期內(nèi)，公司在研產(chǎn)品已發(fā)往某國(guó)際領(lǐng)先晶圓廠參與其先進(jìn)制程工藝研發(fā)。

拓荊科技表示，公司是國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路 PECVD、SACVD 設(shè)備廠商。公司憑借長(zhǎng)期技術(shù)研發(fā)和工藝積累，打破國(guó)際廠商對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的壟斷，與國(guó)際寡頭直接競(jìng)爭(zhēng)。公司還先后四次承擔(dān)國(guó)家重大科技 專項(xiàng)/課題，被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)評(píng)為 2016 年度、2017 年度、2019 年度“中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”。

三、營(yíng)收高速增長(zhǎng)，虧損額持續(xù)縮窄

招股書顯示，2018-2020年度及2021年1-3月期間，公司分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入 7,064.40 萬(wàn)元、 25,125.15 萬(wàn)元、43,562.77 萬(wàn)元和 5,774.10 萬(wàn)元；2020 年較 2019 年增長(zhǎng) 73.38%， 2019 年較 2018 年增長(zhǎng) 255.66%；2018-2020 年度復(fù)合增長(zhǎng)率為 148.32%，實(shí)現(xiàn)高速增長(zhǎng)。

報(bào)告期內(nèi)，公司歸屬于母公司股東的凈利潤(rùn)分別為-10,322.29 萬(wàn)元、-1,936.64 萬(wàn)元、-1,148.90 萬(wàn)元和-1,032.66 萬(wàn)元，扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司股東 的凈利潤(rùn)分別為-14,993.05 萬(wàn)元、-6,246.63 萬(wàn)元、-5,711.62 萬(wàn)元和-2,400.90 萬(wàn)元， 虧損逐年收窄。

拓荊科技表示，報(bào)告期內(nèi)尚未實(shí)現(xiàn)盈利，主要由于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)含量高，研發(fā)投入大，產(chǎn)品驗(yàn)證周期長(zhǎng)， 公司需要持續(xù)進(jìn)行了大量的研發(fā)投入。報(bào)告期內(nèi)，公司研發(fā)費(fèi)用分別為 10,797.31 萬(wàn)元、7,431.87 萬(wàn)元、12,278.18 萬(wàn)元和 2,714.86 萬(wàn)元，占各期營(yíng)業(yè)收入的比例為 152.84%、29.58%、28.19%和 47.02%。研發(fā)費(fèi)用金額較高和占營(yíng)業(yè)收入的比例較 大，是公司虧損主要原因。

不過(guò)，拓荊科技也表示，報(bào)告期內(nèi)，公司虧損雖已逐年收窄，但如果未來(lái)發(fā)生市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇、宏觀經(jīng)濟(jì)和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的景氣度下行、主要客戶削減資本性支出預(yù)算、公司大幅增加研發(fā)投入或公司不能有效拓展客戶等情形，將使公司面臨一定的經(jīng)營(yíng)壓力，公司未來(lái)一定期間內(nèi)仍存在無(wú)法盈利的風(fēng)險(xiǎn)。

另外，報(bào)告期內(nèi)，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)毛利率分別為 33.00%、31.99%、34.12%和 27.07%， 呈小幅波動(dòng)趨勢(shì)。

與應(yīng)用材料、泛林半導(dǎo)體、東京電子、先晶半導(dǎo)體等業(yè)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比，拓荊科技在營(yíng)收、凈利潤(rùn)規(guī)模以及毛利率水平上都較為落后。

拓荊科技表示，公司產(chǎn)品毛利率對(duì)售價(jià)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、原材料價(jià)格等因素變化較為敏感。不同客戶的產(chǎn)品配置、性能要求以及議價(jià)能力可能有所不同，對(duì)相同客戶的首臺(tái)訂單和重復(fù)訂單價(jià)格也可能存在差異，從而導(dǎo)致公司產(chǎn)品毛利率存在一定差異。如果未來(lái)下游客戶需求下降、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇等可能導(dǎo)致的產(chǎn)品價(jià)格下降， 或者公司未能有效控制產(chǎn)品成本，則不能排除公司毛利率水平波動(dòng)甚至開始出現(xiàn)下降的可能性，給公司的經(jīng)營(yíng)帶來(lái)一定風(fēng)險(xiǎn)。

四、累計(jì)出貨56臺(tái)設(shè)備，PECVD設(shè)備占比極高

從營(yíng)收構(gòu)成來(lái)看，拓荊科技的營(yíng)收均來(lái)自于主營(yíng)業(yè)務(wù)，其中PECVD設(shè)備的銷售占比極高。報(bào)告期內(nèi)，占比分別為 77.98%、100.00%、97.55%和 100.00%。ALD設(shè)備和SACVD設(shè)備占比極少。

截至報(bào)告期末，公司發(fā)出商品共計(jì) 56 臺(tái)，其中尚未獲取正式訂單，僅通過(guò) Demo 訂單等形式安排發(fā)運(yùn)的設(shè)備共計(jì) 20 臺(tái)，占比為 35.71%。如果 Demo 機(jī)臺(tái)未來(lái)最終無(wú)法獲得客戶驗(yàn)證通過(guò)，相關(guān)機(jī)臺(tái)可能無(wú)法實(shí)現(xiàn)銷售，公司可能面臨調(diào)整生產(chǎn)計(jì)劃、更換已完工機(jī)臺(tái)的部分模塊導(dǎo)致生產(chǎn)成本加大、存貨庫(kù)齡加長(zhǎng)等情形，對(duì)公司的生產(chǎn)、業(yè)績(jī)?cè)斐刹焕绊憽?/span>

拓荊科技表示，目前公司 ALD、SACVD 均處于產(chǎn)品發(fā)往不同客戶端進(jìn)行產(chǎn)線驗(yàn)證 的市場(chǎng)開拓階段，形成批量銷售需經(jīng)過(guò)不同客戶的驗(yàn)證，周期存在不確定性。ALD 設(shè)備系集成電路先進(jìn)制程晶圓制造的關(guān)鍵設(shè)備，在 14nm 及以下制程邏 輯芯片、17nm 及以下 DRAM 芯片中有著廣泛應(yīng)用。SACVD 設(shè)備系 40nm 以下 邏輯芯片制造、高性能存儲(chǔ)芯片高深寬比填充的關(guān)鍵設(shè)備。晶圓制造產(chǎn)線制程越先進(jìn)，對(duì)于 ALD、SACVD 設(shè)備數(shù)量的需求越多。我國(guó)集成電路制造產(chǎn)業(yè)起步較晚，晶圓制造產(chǎn)線制程與國(guó)際先進(jìn)水平相比較為落后，先進(jìn)制程產(chǎn)線處于發(fā)展建設(shè)階段，具備先進(jìn)制程晶造能力的廠商較少。如果國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程晶圓制造產(chǎn)線發(fā)展不及預(yù)期，市場(chǎng)對(duì) ALD、SACVD 設(shè)備的需求增長(zhǎng)較小，發(fā)行人 ALD 及 SACVD 設(shè)備未來(lái)銷售增長(zhǎng)將受到限制。

五、前五大客戶營(yíng)收占比極高：主要為長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹、中芯

報(bào)告期內(nèi)，公司各期前五大客戶主營(yíng)業(yè)務(wù)收入金額占當(dāng)年主營(yíng)業(yè)收入額的占 比較高，分別為 100.00%、84.02%、83.78%和 100%，占比較高。其中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、華虹集團(tuán)、中芯國(guó)際一直是拓荊科技的前五大客戶。2021 年 1-3 月，公司的第一大客戶長(zhǎng)江存儲(chǔ)的銷售額占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的比例高達(dá)51.87%。

對(duì)此，拓荊科技表示，主要由于公司所處半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有量少價(jià)高的特點(diǎn)，且存在驗(yàn)收時(shí)間和收入確認(rèn)時(shí)間集中在下半年和第四季度的行業(yè)特 性。因此，2021 年第一季度公司的銷量較少，導(dǎo)致客戶集中度無(wú)法被銷量分?jǐn)偂?報(bào)告期末，公司已發(fā)出未驗(yàn)收的商品中，包括了十余家客戶和 56 臺(tái)設(shè)備， 公司不存在對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)重大依賴的情況。

六、對(duì)前五大供應(yīng)商依賴程度相對(duì)較低

報(bào)告期內(nèi)，公司前五大客戶占當(dāng)期采購(gòu)總額的比例分別為38.66%、38.78%、39.75%、38.77%。公司不存在向單個(gè)供應(yīng)商的采購(gòu)比例超過(guò)總額 50%的情形，或嚴(yán)重依賴于少數(shù)供應(yīng)商的情形。不過(guò)，報(bào)告期內(nèi)，公司的前五名供應(yīng)商中，也并未有引入新的供應(yīng)商。

七、應(yīng)收賬款占比較高，但呈快速降低趨勢(shì)

報(bào)告期各期末，公司應(yīng)收賬款余額分別為 6,540.84 萬(wàn)元、13,476.81 萬(wàn)元、 7,406.55 萬(wàn)元和 7,678.15 萬(wàn)元，2018-2020 年，公司應(yīng)收賬款余額占對(duì)應(yīng)年度的 營(yíng)業(yè)收入的比例分別為 92.59%、53.64%和 17.00%，公司應(yīng)收賬款金額較大。

拓荊科技表示，隨著公司經(jīng)營(yíng)規(guī)模的擴(kuò)大，應(yīng)收賬款金額將可能進(jìn)一步增加，公司面臨資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率 下降、營(yíng)運(yùn)資金占用增加的風(fēng)險(xiǎn)。如果未來(lái)公司應(yīng)收賬款催收不力或主要客戶自 身發(fā)生重大經(jīng)營(yíng)困難導(dǎo)致無(wú)法及時(shí)收回貨款，將對(duì)公司生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)產(chǎn)生不利影響。

八、存貨占比較高，跌價(jià)風(fēng)險(xiǎn)較大

由于拓荊科技的薄膜沉積設(shè)備產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)需要經(jīng)歷較長(zhǎng)的驗(yàn)證過(guò)程。在生產(chǎn)階段主要根據(jù)客戶的差異化需求和采購(gòu)意向，進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)及生產(chǎn)制造。在產(chǎn)品交付后需要安裝調(diào)試并運(yùn)行一段時(shí)間后，客戶才能完成驗(yàn)收，整個(gè)流程可能需要 6-24 個(gè)月甚至更長(zhǎng)時(shí)間。即便是重復(fù)訂單設(shè)備，由于已通過(guò)客戶工藝驗(yàn)證，新到設(shè)備的工藝技術(shù)一般無(wú)需做較大改動(dòng)，但從出貨到設(shè)備驗(yàn)收通常也需要 3-24個(gè)月的時(shí)間。因此公司的原材料及發(fā)出商品隨著業(yè)務(wù)規(guī)模擴(kuò)張、產(chǎn)品種類的增加、在手訂單規(guī)模的擴(kuò)大而增加。

報(bào)告期各期末，公司的存貨余額分別為 33,052.11 萬(wàn)元、35,782.99 萬(wàn)元、 52,381.17萬(wàn)元、65,935.62萬(wàn)元，占流動(dòng)資產(chǎn)的比例分別為47.61%、41.78%、32.55% 和 38.98%。如果未來(lái)產(chǎn)品銷售價(jià)格發(fā)生重大不利變化，可能導(dǎo)致存貨可變現(xiàn)凈值低于賬面凈值，而需要計(jì)提存貨跌價(jià)準(zhǔn)備，從而影響公司的盈利水平。

在公司的存貨中，發(fā)出商品是最主要的組成部分。報(bào)告期各期末，公司的發(fā) 出商品賬面余額分別為 17,016.48 萬(wàn)元、23,503.18 萬(wàn)元、36,746.35 萬(wàn)元、46,148.64 萬(wàn)元，占存貨余額的比例分別為 51.48%、65.68%、70.15%和 69.99%，賬面余額 較高且在報(bào)告期內(nèi)隨公司業(yè)務(wù)發(fā)展逐年增加。

拓荊科技表示，如果未來(lái)這些發(fā)出商品在客戶端試 運(yùn)行未能驗(yàn)收通過(guò)而被退回，可能導(dǎo)致存貨積壓，以及出現(xiàn)補(bǔ)充計(jì)提存貨跌價(jià)準(zhǔn) 備的情況，從而影響公司的流動(dòng)資金及盈利水平。

九、政府補(bǔ)助占比不低

報(bào)告期內(nèi)，公司計(jì)入其他收益的政府補(bǔ)助金額分別為 4,691.53 萬(wàn)元、4,326.27 萬(wàn)元、5,096.14 萬(wàn)元、1,427.83 萬(wàn)元，占當(dāng)期營(yíng)業(yè)收入的比重分 別為 66.41%、17.22%、11.70%和 24.73%。

公司在報(bào)告期內(nèi)收到的政府補(bǔ)助主要是對(duì)公司研發(fā)投入的支持。如果未來(lái)政 府部門對(duì)公司所處產(chǎn)業(yè)的政策支持力度有所減弱，或者其他補(bǔ)助政策發(fā)生不利變 化，公司取得的政府補(bǔ)助金額將會(huì)有所減少，公司將需要自籌更多資金用于研發(fā)，進(jìn)而影響公司現(xiàn)金流。此外，政府補(bǔ)助的減少，也會(huì)對(duì)公司的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)產(chǎn)生一定的不利影響。

十、公司無(wú)實(shí)際控制人，國(guó)家大基金為第一大股東

截至本招股說(shuō)明書簽署日，持有拓荊科技5%以上股份或表決權(quán)的股東，包括 國(guó)家集成電路基金（簡(jiǎn)稱“國(guó)家大基金”）、國(guó)投上海、中微公司、嘉興君勵(lì)及其關(guān)聯(lián)方鹽城燕舞、潤(rùn)揚(yáng)嘉禾，姜謙及其一致行動(dòng)人（呂光泉、張先智、張孝勇、劉憶軍、凌復(fù)華、吳飚、 周仁、沈陽(yáng)盛騰、沈陽(yáng)盛旺、沈陽(yáng)盛全、沈陽(yáng)盛龍、芯鑫和、芯鑫全、芯鑫龍、 芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫陽(yáng)）。其中，國(guó)家大基金為拓荊科技第一大股東，持股26.4833%。

此外，呂光泉、劉憶軍、凌復(fù)華、吳飚、周仁、 張先智、張孝勇，以及拓荊科技的 11 個(gè)員工持股平臺(tái)（沈陽(yáng)盛騰、沈陽(yáng)盛旺、沈陽(yáng) 盛全、沈陽(yáng)盛龍、芯鑫和、芯鑫全、芯鑫龍、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫陽(yáng)，合計(jì)持股12.1040%）， 均系發(fā)行人股東姜謙的一致行動(dòng)人，合計(jì)持有發(fā)行人 15.1920%的股份。

值得一提的是，合計(jì)持有拓荊科技3.0881%股份的呂光泉、劉憶軍、凌復(fù)華、吳飚、周仁、 張先智、張孝勇均為美籍。

另外，同為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商的中微公司，持有拓荊科技11.1982%的股份，為其第三大股東。

嘉興君勵(lì)為拓荊科技的第四大股東，持股7.3921%。而立霸股份則持有嘉興君勵(lì)最高份額的股權(quán)，為64.05%。

截至本招股說(shuō)明書簽署日，公司單個(gè)股東持有或控制的股份數(shù)量均未超過(guò)公 司總股本的 30%，無(wú)法形成控股，單個(gè)股東亦不能決定董事會(huì)多數(shù)席位，使得公 司無(wú)控股股東及實(shí)際控制人。

十一、研發(fā)人員占比43.56%，已獲授權(quán)專利167項(xiàng)

截至 2021 年 3 月 31 日，拓荊科技的科研人員 142 人，占員工總數(shù)的 43.56%， 其中海外技術(shù)專家及高端技術(shù)人才十余人。碩士研究生及以上學(xué)歷的人員占員工總數(shù)的31.29%。

截至本招股說(shuō)明書簽署日，發(fā)行人及下屬子公司已獲授權(quán)專利 167 項(xiàng)，其中 國(guó)內(nèi) 150 項(xiàng)，包含發(fā)明專利 69 項(xiàng)、實(shí)用新型專利 80 項(xiàng)、外觀設(shè)計(jì) 1 項(xiàng)；其他國(guó) 家或地區(qū) 17 項(xiàng)，包含中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的發(fā)明專利 14 項(xiàng)和美國(guó)的發(fā)明專利 3 項(xiàng)；國(guó)內(nèi)外和其他地區(qū)發(fā)明專利合計(jì) 86 項(xiàng)。

公司獲得 2017 年遼寧省政府頒發(fā)的“遼寧省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)”，中國(guó)電子 專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì) 2016 年度“中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品”認(rèn)證，2019 年國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的“國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)”稱號(hào)，2021 年中國(guó)集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟頒 發(fā)的“技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)頒發(fā)的 2016 年、2017 年、2019 年“中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備五強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。

十二、募資10億，加速設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化

本次募集資金用于項(xiàng)目及擬投入的募資金額為：高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，利用募集資金投資額 7986.46 萬(wàn)元；先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目，利用募集資金投資額約 3.99 億元；ALD 設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，利用募集資金投資額約 2.71 億元；補(bǔ)充流動(dòng)資金，利用募集資金投資額 2.50 億元。本次股票發(fā)行后擬在上交所科創(chuàng)板上市。

編輯：芯智訊-浪客劍